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进入12月，全世界碳化硅（SiC）功率器件范畴迎来密集技能落地，头部企业纷纷加码高压、高靠得住性产物结构。纳微半导体与威世（Vishay）接踵发布重磅SiC新品，别离聚焦超高压场景冲破与中功率市场适配。 12月1日，纳微半导体 公布，其全新3300V与 2300V超高压（UHV）SiC产物已经正式最先向市场提供样品，笼罩功率模块、分立器件和裸片（KGD）等多种形态。该系列产物于超高压功率电子器件范畴树立了全新的靠得住性与机能标杆。 纳微全新3300V及2300V SiC器件基在其第四代GeneSiC™平台研发，采用TAP（沟槽辅助平面栅技能）架构，经由过程多级电场治理设计显著降低电压应力、晋升耐压能力，相较传统trench或者平面型SiC MOSFET揭示更优的电压特征及靠得住性。 此外，纳微进一步扩大3300V/2300V UHV SiC产物组合，提供矫捷多样的封装格局，以满意客户端差别运用的需求。针对于高功率密度与高靠得住性体系，推出了进步前辈的SiCPAK™ G+功率模块，撑持半桥与全桥拓扑。 据悉，SiCPAK™ G+模块采用怪异的环氧树脂灌封技能，比拟业内常见的硅胶灌封方案，可实现 >60%的功率轮回寿命晋升，以和>10倍的热打击靠得住性改良。 资料显示，纳微半导体建立在2014年，是全世界下一代功率半导体范畴的领军企业，焦点技能聚焦氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）宽禁带质料，产物笼罩消费电子、AI数据中央、新能源汽车等范畴，氮化镓芯片发货超1.25亿颗。 12月4日，威世（Vishay ）正式推出两款1200V SiC MOSFET功率模块——VS-MPY038P120与VS-MPX075P120，两款产物均基在威世新一代碳化硅技能打造，针对于中高频、高功率密度的功率转换场景举行深度优化，为能源、汽车、工业等范畴提供高效靠得住的解决方案。 此中，VS-MPY038P120采用全桥逆变器拓扑，导通电阻低至38mΩ，于+80℃工况下可撑持35A持续漏极电流；VS-MPX075P120 则采用三相逆变器拓扑，导通电阻为75mΩ，+80℃下持续漏极电流可达18A，两款模块均具有 1200V耐压值与175℃最高事情结温，能适配繁杂工况下的持久不变运行。 今朝，这两款1200V SiC MOSFET功率模块已经正式进入量产阶段，客户可申请样品测试，批量供货周期约为13周，可以或许快速相应行业对于高机能碳化硅功率器件的批量需求。 资料显示，威世是全世界电子元器件范畴的领军企业，建立在1962年，专注无源与半导体器件研发制造。产物线笼罩电阻、电容、电感等无源元件，以和二极管、传感器等半导体与光电子产物，广泛运用在汽车、工业、消费电子、航空航天等范畴。
